?
您的位置:网站首页 > 《中文科技期刊数据库》 > 工程技术 > 电子电信 > 光电子技术/激光 > 摘要

退火时间和掺杂浓度对a-Si_(1-x)C_x:H薄膜电导特性的影响

《科技致富向导》2012年 第12期 | 田帅 简红彬   天津电子信息职业技术学院 中国天津300350 富士通天研究开发〈天津〉有限公司 中国天津300457
★ 收藏 | 分享
  • 第1页
论文服务:
摘 要:本文对在不同B2H6浓度下制备的a-Si1-xCx:H薄膜进行热退火处理,利用四探针法分析了退火时间和掺杂浓度对薄膜电导特性的影响。结果表明,退火处理使薄膜中未被激活的B杂质对电导特性产生了重要影响。
【分 类】【工业技术】 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 一般性问题 > 基础理论
【关键词】 a-Si1-xCx:H薄膜 电导特性 热退火
【出 处】 《科技致富向导》2012年 第12期 139-139页 共1页
【收 录】 中文科技期刊数据库
久久99热大香蕉免费,大香蕉大香蕉最新视频,大香蕉伊,中文字幕av,久热在线播放中文字幕